EUR 0,00
(toimituskulut: 0,00)
Infineon IDW10G120C5BFKSA1
Tuotenumero: [20578646] | Valmistaja: Infineon | Mallinum: IDW10G120C5BFKSA1 | EAN: 2050009799359
Ikke på lager
Tuotetta ei ole varastossa. Lisätietoja
Loppuunmyyty
Tuotetta ei ole varastossa.
Toimitusvaihtoehdot - Valitaan kassalla
Budbee Laatikko - Nouda valitsemastasi laatikosta!
7,02
Bring - Toimitus huoltopisteeseen
7,02
Bring - Kotiinkuljetus -arkisin.
10,03
Toimituskulut on laskettu vastaanottajan postinumeron perusteella:00180 - Helsinki Vaihda postinumero
Syötä postinumero toimitusta varten:
EUR
8,40
ilman ALV 6,69
Kokonaishinta sis. toimitus
15,42
Ilmoita minulle, kun tuotetta on jälleen tarjolla varastossa
Tämä toiminto vaatii sisäänkirjautumisen. Luo käyttäjä ja voit käyttää listojamme esim. säännöllisiä ostoksia ja toivelistoja varten
Luo käyttäjä
Kirjaudu
Luo käyttäjä
Kirjaudu
Send på mail
The Infineon CoolSiC Schottky diode generation 5 1200 V, 10 A in a TO-247-3 package, presents a leading edge technology for SiC Schottky Barrier diodes. The thin wafer technology, already introduced with G2, is now combined with a new merged pn junction improving diode surge current capabilities. The result is a series of products delivering market leading efficiency and more system reliability at an attractive cost point.
Best-in-class forward voltage (VF)
No reverse recovery charge
Mild positive temperature dependency of VF
Best-in-class surge current capability
Excellent thermal performance
Best-in-class forward voltage (VF)
No reverse recovery charge
Mild positive temperature dependency of VF
Best-in-class surge current capability
Excellent thermal performance