The Infineon high speed hard-switching IGBT is co-packed with RAPID 1 fast and soft anti-parallel diode in a TO-247 package, is defined as 'best-in-class' IGBT. It has best-in-class efficiency, resulting in lower junction and case temperature leading to higher device reliability. 50 V increase in the bus voltage possible without compromising reliability. 650 V breakthrough voltage Compared to best-in-class HighSpeed 3 family Factor 2.5 lower Qg Factor 2 reduction in switching losses 200mV reduction in VCEsat Co-packed with Rapid Si-diode technology Low COES/EOSS Mild positive temperature coefficient VCEsa
Löydämme tuotteen järjestelmästämme helposti seuraavalla tuotenumerolla
EAN:
2050009802011
SKU:
IKW50N65F5FKSA1
Miksi samalla tuotteella on monta eri tuotesivua tai tuotenumeroa?
Valmistajat usein julkaisevat saman tuotteen monella eri tuotenumerolla. Usein eroa on vain pakkauksessa. Eri tuotepakkaus saattaa olla suunniteltu eri valtioille.
Yritämme parhaamme mukaan laittaa samat tuotteet saman tuotenumeron alle, mutta joskus sama tuote on eri tuotenumeroilla sivullamme.