EUR 0,00
(toimituskulut: 0,00)
Infineonin IKW15N120H3FKSA1
Tuotenumero: [9406998] | Valmistaja: Infineon | Mallinum: IKW15N120H3FKSA1 | EAN: 2050009801618
Etävarastossa
Tuotetta on etävarastossamme. Toimitusaika noin 4-5 arkipäivää. Lisätietoja
Toimitusvaihtoehdot - Valitaan kassalla
Budbee Laatikko - Nouda valitsemastasi laatikosta!
7,02
Bring - Toimitus huoltopisteeseen
7,02
Bring - Kotiinkuljetus -arkisin.
10,03
Toimituskulut on laskettu vastaanottajan postinumeron perusteella:00180 - Helsinki Vaihda postinumero
Syötä postinumero toimitusta varten:
EUR
9,59
ilman ALV 7,64
Kokonaishinta sis. toimitus
16,61
Tämä toiminto vaatii sisäänkirjautumisen. Luo käyttäjä ja voit käyttää listojamme esim. säännöllisiä ostoksia ja toivelistoja varten
Luo käyttäjä
Kirjaudu
Luo käyttäjä
Kirjaudu
Send på mail
Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 1100 to 1600V
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 1100 to 1600V featuring TrenchStop technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.
Collector-emitter voltage range 1100 to 1600V
Very low VCEsat
Low turn-off losses
Short tail current
Low EMI
Maximum junction temperature 175°C
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and lowsaturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 1100 to 1600V featuring TrenchStop technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.
Collector-emitter voltage range 1100 to 1600V
Very low VCEsat
Low turn-off losses
Short tail current
Low EMI
Maximum junction temperature 175°C
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and lowsaturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.